Загрузка...

Параметрический поиск

IGBT

Выбранные элементы: 0
Отображаемые параметры
Единица измерения
Всего элементов:
2839
Выбраны:
0
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE max
UКЭ max
Максимальный ток коллектора IC
IК
Максимальный импульсный ток коллектора IC pulse
IК имп
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (падение напряжения на включенном IGBT) при определенном токе коллектора IC (при номинальном токе или максимальном токе коллектора). Для PT-IGBT UКЭ (нас) будет падать пропорционально температуре в диапазоне номинальных токов, для NPT-IGBT, однако, будет расти пропорционально температуре.
UКЭ (нас)
Максимальная рассеиваемая мощность
PD
Время нарастания tr определяется временным интервалом, следующим за временем задержки включения, когда ток коллектора IC возрастет с 10% до 90% от тока нагрузки.
tн
Время задержки включения td(on) определяется как временной интервал между моментами, когда напряжение затвор-эмиттер достигает 10 % от максимального значения, и когда ток коллектора IК возрастет до 10 % от тока нагрузки.
tзад.вкл.
Время спада tf определяется временным интервалом, когда ток коллектора будет падать с 90% до 10% от тока нагрузки.
tc
Время задержки выключения td(off) определяется как временной интервал между моментами, когда напряжение затвор-эмиттер снизится до 90% от значения во включенном состоянии, и когда ток коллектора упадет до 90% от тока нагрузки.
tзад.выкл.
Заряд затвора QGate
QЗ
Заряд обратного восстановления
Qrr
Корпус Производитель
нс нКл    
Выбрать все
Убрать все
Выбрать все
Убрать все