Загрузка...

Параметрический поиск

Биполярные

Выбранные элементы: 0
Отображаемые параметры
Единица измерения
Всего элементов:
12963
Выбраны:
0
Тип
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max)
UКЭ (max)
Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max)
UКБ (max)
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max)
UЭБ (max)
Максимальный ток коллектора IC (max)
IК (max)
Максимальная рассеиваемая мощность
PК (max)
Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.
UКЭ (нас)
Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
hFE (min)
Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
hFE (max)
Граничная частота передачи тока ft (частота, на которой hFE становится равным единице), по ней биполярные транзисторы делят на низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 до 30 МГц), высокочастотные (от 30 до 300 МГц), сверхвысокочастотные (более 300 МГц).
fГР
Корпус Производитель
         
Выбрать все
Убрать все
Выбрать все
Убрать все
Выбрать все
Убрать все