Загрузка...

Параметрический поиск

Биполярные

Выбранные элементы: 0
Отображаемые параметры
Единица измерения
Всего элементов:
830
Выбраны:
0
Тип
Максимальная рассеиваемая мощность
PK (max)
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max)
UКЭ (max)
Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max)
UКБ (max)
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max)
UЭБ (max)
Максимальный ток коллектора IC (max)
IК (max)
Максимальный импульсный ток коллектора
IКИ (max)
Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
hFE (min)
Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
hFE (max)
Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.
UКЭ (нас)
Обратный ток коллектора при постоянном напряжении коллектор-база
IКБО
Граничная частота передачи тока ft (частота, на которой hFE становится равным единице), по ней биполярные транзисторы делят на низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 до 30 МГц), высокочастотные (от 30 до 300 МГц), сверхвысокочастотные (более 300 МГц).
fГР
Корпус Производитель
      В    
Выбрать все
Убрать все
Выбрать все
Убрать все
Выбрать все
Убрать все